【數字視聽網訊】據外媒報道，美國硅谷公司Sundiode Inc展示了一個全彩Micro LED微顯示器，由堆疊式RGB Micro LED像素陣列組成，采用主動矩陣硅基CMOS背板驅動技術。

據悉，Sundiode位于美國加州圣克拉拉的坎貝爾城市，致力于開發(fā)用于AR/MR等設備的Micro LED顯示技術。今年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術，并宣布與韓國光子技術研究院(Korea Photonics Technology Institute)合作在單晶圓上實現全彩Micro LED像素器件。

在此基礎上，Sundiode采用了Jasper Display Corp(位于美國加州圣克拉拉)可助力實現全彩的硅基CMOS背板，開發(fā)了堆疊式RGB Micro LED全彩顯示器，Micro LED芯片尺寸為100μm，顯示器尺寸為15.4mm×8.6mm，分辨率為200PPI。

由堆疊式RGB像素陣列組成的微顯示器，每個像素都是堆疊式的RGB Micro LED器件

據介紹，傳統Pick & Place取放技術工藝需要單獨轉移R/G/B三個像素，而Sundiode的專有技術，只需要將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。

此外，本次與Sundiode合作的JDC是一家無晶圓IC設計廠，提供支持開發(fā)Micro LED的CMOS背板技術，包括全高清、4K分辨率的背板，具有出色的電流一致性和靈活的尋址功能。

此前，英國Plessey也曾選用JDC的硅基背板開發(fā)Micro LED顯示器。本次與Sundiode的合作再次表明其Micro LED CMOS背板技術可滿足客戶的定制化需求，適用于低功率的AR設備，也適用于汽車大燈等不同的應用。

目前，Sundiode正在進行下一階段的研發(fā)，旨在顯著提升全彩像素密度，以滿足AR/MR設備對顯示技術的要求。未來，Sundiode將力爭開發(fā)出基于堆疊式RGB像素技術的超高分辨率微顯示器。(LEDinside Janice編譯)

（編輯：bingjiling）