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東芝開發出顯示器用氧化物半導體TFT

2010年12月07日 13:48   來源:中國數字視聽網   作者:Kouji   字體【

據悉,東芝于近日成功開發出了用于顯示器的氧化物半導體TFT。此次東芝開發的氧化物半導體TFT,其中的通道材料采用了非結晶IGZO(In-Ga-Zn-O)。IGZO TFT比現有大型液晶面板的驅動元件所采用的非晶硅TFT的載流子遷移率約高10倍,不過閾值電壓的變化此前卻一直是個問題。

東芝 TOSHIBA

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東芝發現IGZO TFT的可靠性與通道材料內部氫的狀態有關。在優化IGZO TFT的成膜條件以及成膜后熱處理(淬火)溫度的同時,通過控制絕緣膜中的氫的濃度,在玻璃基板上以320℃的溫度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的載流子遷移率為13.5cm2/Vs。

另外東芝還試制了采用此次IGZO TFT的3英寸有機EL面板。在基板上形成了柵極驅動電路。

今后,東芝將推進氧化物半導體TFT形成工藝的低溫化以及進一步確保其可靠性。以便實現基板材料從現在的玻璃材料變為樹脂材料,實現薄型、輕質的平板顯示器的目標。

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